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TI/德州儀器 場效應管 CSD87588N MOSFET Sync Buck NexFET Power Block II 參考價 ￥面議
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品牌 型號 CSD87588N 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-03-09 瀏覽次數 8
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STM 場效應管 STB10NK60ZT4 MOSFET N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH 參考價 ￥面議
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品牌 型號 STB10NK60ZT4 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-03-09 瀏覽次數 5
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STM 場效應管 STF15N65M5 MOSFET N-Ch 650V 0.308 Ohm 11 A MDmesh M5 參考價 ￥面議
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品牌 型號 STF15N65M5 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-03-09 瀏覽次數 9 技術參數品牌：STM型號：STF15N65M5批號：封裝：數量：18288QQ：制造商：STMicroelectronics產品種類：MOSFETRoHS：是技術：Si安裝風格：ThroughHole封裝/箱體：TO-220-3晶體管極性：N-Channel通道數量：1ChannelVds-漏源極擊穿電壓：650VId-連續漏極電流：6對比
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STM 場效應管 STP85NF55L MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 參考價 ￥面議
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品牌 型號 STP85NF55L 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-03-09 瀏覽次數 7
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STM 場效應管 STP16N65M5 MOSFET N-Ch 650 Volt 12 Amp 參考價 ￥面議
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品牌 型號 STP16N65M5 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-03-09 瀏覽次數 7
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STM 可控硅/晶閘管 BTA08-400BRG 雙向可控硅 8 Amp 400 Volt 參考價 ￥面議
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品牌 型號 BTA08-400BRG 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-03-09 瀏覽次數 3 技術參數品牌：STM型號：BTA08-400BRG批號：封裝：數量：18288QQ：制造商：STMicroelectronics產品種類：雙向可控硅RoHS：是系列：BTA08不重復通態電流：84A額定重復關閉狀態電壓VDRM：400V關閉狀態漏泄電流（在VDRMIDRM下）：5uA開啟狀態電壓：1對比
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STM 場效應管 STP8NK80ZFP MOSFET N-Ch 800 Volt 6.2 A 參考價 ￥面議
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品牌 型號 STP8NK80ZFP 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-03-09 瀏覽次數 4 技術參數品牌：STM型號：STP8NK80ZFP批號：封裝：數量：18288QQ：制造商：STMicroelectronics產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：ThroughHole封裝/箱體：TO-220FP-3通道數量：1Channel晶體管極性：N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：800VId-連續漏極電流：6對比
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STM 場效應管 STGP10H60DF IGBT 晶體管 Trench gate H series 600V 10A HiSpd 參考價 ￥面議
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品牌 型號 STGP10H60DF 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-03-09 瀏覽次數 6 技術參數品牌：STM型號：STGP10H60DF批號：封裝：數量：18288QQ：制造商：STMicroelectronics產品種類：IGBT晶體管RoHS：是技術：Si封裝/箱體：TO-220-3安裝風格：ThroughHole配置：Single集電極—發射極電壓VCEO：600V集電極—射極飽和電壓：1對比
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STM 可控硅/晶閘管 TYN816RG SCR 16 Amp 800 Volt 參考價 ￥面議
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品牌 型號 TYN816RG 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-03-09 瀏覽次數 8 技術參數品牌：STM型號：TYN816RG批號：封裝：數量：18288QQ：制造商：STMicroelectronics產品種類：SCRRoHS：是系列：TYN816轉折電流IBO：167A額定重復關閉狀態電壓VDRM：800V關閉狀態漏泄電流（在VDRMIDRM下）：5uAVf-正向電壓：500V柵極觸發電壓-Vgt：1對比
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STM 場效應管 STP11NK50ZFP 通孔 N 通道 500 V 10A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP 參考價 ￥面議
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品牌 型號 STP11NK50ZFP 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-03-09 瀏覽次數 5 技術參數品牌：STM型號：STP11NK50ZFP批號：封裝：數量：18288QQ：制造商：STMicroelectronics系列：SuperMESH™FET類型：N通道25°C時電流-連續漏極(Id)：10A（Tc）驅動電壓（RdsOn對比
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STM 場效應管 STW120NF10 MOSFET POWER MOSFET 參考價 ￥面議
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品牌 型號 STW120NF10 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-03-09 瀏覽次數 4
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STM 可控硅/晶閘管 T1635-600G 雙向可控硅 16 Amp 600 Volt 參考價 ￥面議
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品牌 型號 T1635-600G 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-03-09 瀏覽次數 8 技術參數品牌：STM型號：T1635-600G批號：封裝：數量：18288QQ：制造商：STMicroelectronics產品種類：雙向可控硅RoHS：是系列：T1635不重復通態電流：168A額定重復關閉狀態電壓VDRM：600V關閉狀態漏泄電流（在VDRMIDRM下）：5uA開啟狀態電壓：1對比
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STM 可控硅/晶閘管 BTA06-400CRG 雙向可控硅 6 Amp 400 Volt 參考價 ￥面議
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品牌 型號 BTA06-400CRG 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-03-09 瀏覽次數 5 技術參數品牌：STM型號：BTA06-400CRG批號：封裝：數量：18288QQ：制造商：STMicroelectronics產品種類：雙向可控硅RoHS：是系列：BTA06不重復通態電流：63A額定重復關閉狀態電壓VDRM：400V關閉狀態漏泄電流（在VDRMIDRM下）：5uA開啟狀態電壓：1對比
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STM 場效應管 STB35NF10T4 MOSFET N-Ch 100 Volt 40 Amp 參考價 ￥面議
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品牌 型號 STB35NF10T4 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-03-09 瀏覽次數 7
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ROHM/羅姆 場效應管 EM6K6T2R MOSFET Small Signal Dual N-CH 20V .3A .15W 參考價 ￥面議
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品牌 型號 EM6K6T2R 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-03-09 瀏覽次數 9
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STM 場效應管 STP36N55M5 MOSFET N-Ch 550V 0.006 Ohm 33A MDmesh M5 FET 參考價 ￥面議
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品牌 型號 STP36N55M5 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-03-09 瀏覽次數 4 技術參數品牌：STM型號：STP36N55M5批號：封裝：數量：18288QQ：制造商：STMicroelectronics產品種類：MOSFETRoHS：是技術：Si安裝風格：ThroughHole封裝/箱體：TO-220-3晶體管極性：N-Channel通道數量：1ChannelVds-漏源極擊穿電壓：550VId-連續漏極電流：20對比
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STM 場效應管 STB6NK90ZT4 MOSFET N-Ch 900 Volt 5.8 A Zener SuperMESH 參考價 ￥面議
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品牌 型號 STB6NK90ZT4 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-03-09 瀏覽次數 6 技術參數品牌：STM型號：STB6NK90ZT4批號：封裝：數量：18288QQ：制造商：STMicroelectronics產品種類：MOSFETRoHS：是技術：Si安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：D2PAK-3晶體管極性：N-Channel通道數量：1ChannelVds-漏源極擊穿電壓：900VId-連續漏極電流：5對比
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STM 場效應管 STN4NF06L MOSFET N-CH 60V 4A STripFET 參考價 ￥面議
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品牌 型號 STN4NF06L 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-03-09 瀏覽次數 6
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STM 場效應管 STP24NF10 MOSFET N-Ch 100 Volt 24 Amp 參考價 ￥面議
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品牌 型號 STP24NF10 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-03-09 瀏覽次數 5
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STM 可控硅/晶閘管 BTA41-800BRG TRIAC 800V 40A TOP3 參考價 ￥面議
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品牌 型號 BTA41-800BRG 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-03-09 瀏覽次數 5
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STM 場效應管 STP2N95K5 MOSFET N-CH 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected 參考價 ￥面議
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品牌 型號 STP2N95K5 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-03-09 瀏覽次數 4
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STM 場效應管 STGWT40H65DFB IGBT 晶體管 650V 40A HSpd trench gate field-stop IGBT 參考價 ￥面議
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品牌 型號 STGWT40H65DFB 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-03-09 瀏覽次數 9 技術參數品牌：STM型號：STGWT40H65DFB批號：封裝：數量：18288QQ：制造商：STMicroelectronics產品種類：IGBT晶體管RoHS：是技術：Si封裝/箱體：TO-3P安裝風格：ThroughHole配置：Single集電極—發射極電壓VCEO：650V集電極—射極飽和電壓：1對比
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STM 可控硅/晶閘管 SMDB3 雙向觸發二極管 32 Volt Trigger 參考價 ￥面議
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品牌 型號 SMDB3 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-03-09 瀏覽次數 6 技術參數品牌：STM型號：SMDB3批號：封裝：數量：18288QQ：制造商：STMicroelectronics產品種類：雙向觸發二極管RoHS：是系列：SMDB3轉折電流VBO：32V轉折電流IBO：10uA最小工作溫度：-40C工作溫度：+125C安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：SOT-23特點：LowBreakoverCurrent高度：0對比
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STM 可控硅/晶閘管 ACST610-8G 雙向可控硅 AC POWER SWITCH 6 AMP LOAD <10 mA 參考價 ￥面議
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品牌 型號 ACST610-8G 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-03-09 瀏覽次數 6 技術參數品牌：STM型號：ACST610-8G批號：封裝：數量：18288QQ：制造商：STMicroelectronics產品種類：雙向可控硅RoHS：是系列：ACST6開啟狀態RMS電流-ItRMS：6A不重復通態電流：47A額定重復關閉狀態電壓VDRM：800V關閉狀態漏泄電流（在VDRMIDRM下）：20uA開啟狀態電壓：1對比
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STM 場效應管 STP20NM60FP MOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp 參考價 ￥面議
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品牌 型號 STP20NM60FP 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-03-09 瀏覽次數 6
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STM 場效應管 STB200NF03T4 MOSFET N-Ch 30 Volt 120 Amp 參考價 ￥面議
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品牌 型號 STB200NF03T4 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-03-09 瀏覽次數 7 技術參數品牌：STM型號：STB200NF03T4批號：封裝：數量：18288QQ：制造商：STMicroelectronics產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：TO-263-3通道數量：1Channel晶體管極性：N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：30VId-連續漏極電流：120ARdsOn-漏源導通電阻：3對比
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STM 場效應管 STGWT60H65DFB IGBT 溝槽型場截止 650 V 80 A 375 W 通孔 TO-3P 參考價 ￥面議
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品牌 型號 STGWT60H65DFB 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-03-09 瀏覽次數 4 技術參數品牌：STM型號：STGWT60H65DFB批號：封裝：數量：18288QQ：制造商：STMicroelectronicsIGBT類型：溝槽型場截止不同 Vge、Ic時 Vce(on)（值）：2V@15V對比
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STM 場效應管 STD9N60M2 MOSFET N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2 參考價 ￥面議
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品牌 型號 STD9N60M2 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-03-09 瀏覽次數 7 技術參數品牌：STM型號：STD9N60M2批號：封裝：數量：18288QQ：制造商：STMicroelectronics產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：TO-252-3通道數量：1Channel晶體管極性：N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：650VId-連續漏極電流：5對比
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STM 場效應管 STD12NF06LT4 MOSFET N-Ch 60 Volt 12 Amp 參考價 ￥面議
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品牌 型號 STD12NF06LT4 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-03-09 瀏覽次數 6
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STM 場效應管 STB20N65M5 MOSFET N-Ch 650V 18A MDmesh M5 0.19Ohm 參考價 ￥面議
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品牌 型號 STB20N65M5 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-03-09 瀏覽次數 8
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STM 場效應管 STD10P6F6 MOSFET P-Ch 60V 0.15Ohm 10A STripFET VI DeepGate 參考價 ￥面議
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品牌 型號 STD10P6F6 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-03-09 瀏覽次數 4
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STM 場效應管 STF7N80K5 MOSFET N-Ch 800V 0.95Ohm 6A MDmesh K5 參考價 ￥面議
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品牌 型號 STF7N80K5 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-03-09 瀏覽次數 6 技術參數品牌：STM型號：STF7N80K5批號：封裝：數量：18288QQ：制造商：STMicroelectronics產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：ThroughHole封裝/箱體：TO-220-3晶體管極性：N-Channel通道數量：1ChannelVds-漏源極擊穿電壓：800VId-連續漏極電流：6ARdsOn-漏源導通電阻：1對比
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STM 場效應管 STL8DN10LF3 MOSFET Dual N-Ch 100V 7.8A 25mOhm STripFET III 參考價 ￥面議
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品牌 型號 STL8DN10LF3 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-03-09 瀏覽次數 5
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STM 場效應管 STD80N10F7 MOSFET N-Ch 100V 0.0085Ohm typ 70A STripFET VII 參考價 ￥面議
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品牌 型號 STD80N10F7 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-03-09 瀏覽次數 5
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STM 場效應管 STP10N60M2 MOSFET N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2 參考價 ￥面議
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品牌 型號 STP10N60M2 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-03-09 瀏覽次數 6 技術參數品牌：STM型號：STP10N60M2批號：封裝：數量：18288QQ：制造商：STMicroelectronics產品種類：MOSFETRoHS：是技術：Si安裝風格：ThroughHole封裝/箱體：TO-220-3晶體管極性：N-Channel通道數量：1ChannelVds-漏源極擊穿電壓：600VId-連續漏極電流：7對比
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STM 可控硅/晶閘管 TXN612RG SCR 12 Amp 600 Volt 參考價 ￥面議
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品牌 型號 TXN612RG 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-03-09 瀏覽次數 4 技術參數品牌：STM型號：TXN612RG批號：封裝：數量：18288QQ：制造商：STMicroelectronics產品種類：SCRRoHS：是系列：TXN612額定重復關閉狀態電壓VDRM：800V關閉狀態漏泄電流（在VDRMIDRM下）：10uAVf-正向電壓：1對比
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STM 場效應管 STGWT40H65FB IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L 參考價 ￥面議
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品牌 型號 STGWT40H65FB 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-03-09 瀏覽次數 6
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STM 場效應管 STD5N60M2 MOSFET N-channel 600 V, 1.3 Ohm typ., 3.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK pac... 參考價 ￥面議
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品牌 型號 STD5N60M2 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-03-09 瀏覽次數 4 技術參數品牌：STM型號：STD5N60M2批號：封裝：數量：18288QQ：制造商：STMicroelectronics產品種類：MOSFETRoHS：是技術：Si安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：TO-252-3通道數量：1Channel晶體管極性：N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：600VId-連續漏極電流：3對比
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STM 場效應管 STF3NK80Z MOSFET N-Ch 800 Volt 2.5Amp Zener SuperMESH 參考價 ￥面議
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品牌 型號 STF3NK80Z 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-03-09 瀏覽次數 4 技術參數品牌：STM型號：STF3NK80Z批號：封裝：數量：18288QQ：制造商：STMicroelectronics產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：ThroughHole封裝/箱體：TO-220-3通道數量：1Channel晶體管極性：N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：800VId-連續漏極電流：2對比
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STM 可控硅/晶閘管 T825T-6I 雙向可控硅 Snubberless Logic Standard 8A Triac 參考價 ￥面議
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品牌 型號 T825T-6I 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-03-09 瀏覽次數 4 技術參數品牌：STM型號：T825T-6I批號：封裝：數量：18288QQ：制造商：STMicroelectronics產品種類：雙向可控硅RoHS：是系列：T825T-6I封裝：Tube商標：STMicroelectronics產品類型：Triacs工廠包裝數量：1000子類別：Thyristors商標名：Snubberless單位重量：2對比
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STM 場效應管 STW24N60DM2 MOSFET N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2 參考價 ￥面議
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品牌 型號 STW24N60DM2 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-03-09 瀏覽次數 6
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ST 可控硅/晶閘管 Z0409NF0AA2 雙向可控硅 DFD THYR TRIAC & RECTIFIER 參考價 ￥面議
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品牌 型號 Z0409NF0AA2 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-03-09 瀏覽次數 5 技術參數品牌：ST型號：Z0409NF0AA2批號：T0-202封裝：16+數量：18288QQ：制造商：STMicroelectronics產品種類：雙向可控硅RoHS：是系列：Z04開啟狀態RMS電流-ItRMS：4A不重復通態電流：20A對比
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STM 場效應管 STGW80H65DFB IGBT 晶體管 Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A 參考價 ￥面議
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品牌 型號 STGW80H65DFB 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-03-09 瀏覽次數 5 技術參數品牌：STM型號：STGW80H65DFB批號：封裝：數量：18288QQ：制造商：STMicroelectronics產品種類：IGBT晶體管RoHS：是封裝/箱體：TO-247-3安裝風格：ThroughHole配置：Single集電極—發射極電壓VCEO：650V集電極—射極飽和電壓：1對比
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STM 場效應管 STB8NM60D MOSFET N Ch 600V 0.9Ohm 8A 參考價 ￥面議
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品牌 型號 STB8NM60D 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-03-09 瀏覽次數 3
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STM 場效應管 STGW40N120KD IGBT 1200V 80A 240W 通孔 TO-247-3 參考價 ￥面議
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品牌 型號 STGW40N120KD 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-03-09 瀏覽次數 3 技術參數品牌：STM型號：STGW40N120KD批號：封裝：數量：18288QQ：制造商：STMicroelectronics系列：PowerMESH™不同 Vge、Ic時 Vce(on)（值）：3.85V@15V對比
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STM 場效應管 STP55NF06L MOSFET N-Ch 60 Volt 55 Amp 參考價 ￥面議
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品牌 型號 STP55NF06L 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-03-09 瀏覽次數 5
