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KSZ9031RNXUB-TRVAO IGBT Microchip 封裝48-VFQFN 批次21+ 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) KSZ9031RNXUB-TRVAO 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-11-26 瀏覽次數(shù) 17 技術(shù)參數(shù)品牌：Microchip型號(hào)：KSZ9031RNXUB-TRVAO封裝：48-VFQFN批次：21+數(shù)量：1000類別：集成電路（IC）產(chǎn)品族：接口-驅(qū)動(dòng)器對(duì)比
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IKW25N120T2 IGBT 英飛凌-Infineon 封裝TO-247-3 批次21+ 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) IKW25N120T2 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-11-26 瀏覽次數(shù) 18 技術(shù)參數(shù)品牌：英飛凌-Infineon型號(hào)：IKW25N120T2封裝：TO-247-3批次：21+數(shù)量：300RoHS：是產(chǎn)品種類：電子元器件最小工作溫度：-50C工作溫度：80C最小電源電壓：2V電源電壓：8V長(zhǎng)度：9對(duì)比
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英飛凌 FF450R12ME4 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-11-12 瀏覽次數(shù) 12
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回收英飛凌新能源汽車 充電柱IGBT 收拆機(jī)帶板600A1200V模塊 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) FF900R12ME7 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-11-06 瀏覽次數(shù) 18
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回收plc模塊 英飛凌IGBT 富士模塊 收工廠庫(kù)存電子料 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) FF900R12ME7 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-11-06 瀏覽次數(shù) 24 公司的IGBT模塊、可控硅模塊、整流橋模塊、二極管模塊,還承接按圖生產(chǎn)、按樣生產(chǎn)業(yè)務(wù)，信守合同保證質(zhì)量對(duì)比
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回收IGBT模塊 現(xiàn)金收英飛凌1200V 收購(gòu)電子廠庫(kù)存芯片 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) FF900R12ME7 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-11-06 瀏覽次數(shù) 17 本公司回收以下品牌模塊：1對(duì)比
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IKW25N120T2 IGBT INFINEON 封裝TO-247 批次2021+ 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) IKW25N120T2 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-10-18 瀏覽次數(shù) 15 技術(shù)參數(shù)品牌：INFINEON型號(hào)：IKW25N120T2封裝：TO-247批次：2021+數(shù)量：2000產(chǎn)地：廣東參數(shù)名：參數(shù)值說明：大括號(hào)中填寫參數(shù)名對(duì)比
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臺(tái)積電元器件配單 IGBT晶體管 IKW50N65ES5XKSA1 INFINEON/英飛凌 TO-247 21+ 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) IKW50N65ES5XKSA1 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-10-02 瀏覽次數(shù) 23 原裝，現(xiàn)貨庫(kù)存，專業(yè)幫助客戶實(shí)現(xiàn)一站式配單 ！！！：吳先生 （微信同號(hào)） QQ：（其他詳細(xì)資料請(qǐng)聯(lián)系客服~）本公司主要致力于為航空航天、安防監(jiān)控、車載與行車、運(yùn)動(dòng)DV、工業(yè)相機(jī)、AI人工智能、人臉識(shí)別門禁門鎖、航拍、POS機(jī)、掃碼掃描、車載行車、科研等視頻圖像領(lǐng)域類提供主控IC、CMOS圖像傳感芯片對(duì)比
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INFINEON/IR IGBT IKW25N120T2 TO-247-3 21+ 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) IKW25N120T2 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-08-26 瀏覽次數(shù) 12
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IKW25N120T2 IGBT INFINEON 封裝TO-247 批次23+ 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) IKW25N120T2 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-08-24 瀏覽次數(shù) 21
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平板形IGBT（IEGT）新創(chuàng)椿樹整流器件公司質(zhì)量有保障 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) 11 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-07-28 瀏覽次數(shù) 14
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原裝 ON/安森美 FGA60N65SMD T0-3P 現(xiàn)貨供應(yīng) 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) FGA60N65SMD 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-07-10 瀏覽次數(shù) 7
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原裝 MOS管 FSC/仙童 FGA15N120ANTDTU TO-3P 現(xiàn)貨供應(yīng) 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) FGA15N120ANTDTU 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-07-09 瀏覽次數(shù) 7
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原裝 絕緣柵雙極晶體管/IGBT ON/安森美 FGH75T65SQD-F155 TO-247 現(xiàn)貨供應(yīng) 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) FGH75T65SQD-F155 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-07-09 瀏覽次數(shù) 8
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IKW40N65H5英飛凌IGBT650 V IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) IKW40N65H5 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-07-08 瀏覽次數(shù) 11 650VIGBTwithanti-paralleldiodeinTO-247packageHighSpeed650V,40Ahard-switchingTRENCHSTOPTM IGBT5co-packedwithRAPID1fastandsoftanti-paralleldiodeinaTO-247package, isdefinedas"best-in-class"IGBT對(duì)比
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FUJI富士電機(jī)IBGT模塊 2MBI100VA-120-50 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) 2MBI100VA-120-50 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-06-14 瀏覽次數(shù) 9 FUJI富士電機(jī)IBGT模塊 FUJI富士電機(jī)作為IGBT硅片生產(chǎn)廠家,早將IGBT模塊引入中國(guó)對(duì)比
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IGW25N120H3 IGBT管 直插T0-247 25A 1200V 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) IGW25N120H3 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-05-02 瀏覽次數(shù) 14 深圳市恒泰科創(chuàng)電子有限公司是國(guó)內(nèi)具實(shí)力的電子元器件分銷商和供應(yīng)商之一,長(zhǎng)期銷售各種品牌集成電路，IC芯片，以及全系列貼片二，三極管,穩(wěn)壓管，貼片電阻，電容，貨源充足，型號(hào)齊全，產(chǎn)品廣泛用于電源，家電，音響，數(shù)碼產(chǎn)品，安防產(chǎn)品等領(lǐng)域對(duì)比
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IKW25N120T2 IGBT INFINEON/英飛凌 批次21+ 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) IKW25N120T2 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-04-13 瀏覽次數(shù) 13 技術(shù)參數(shù)品牌：INFINEON/英飛凌型號(hào)：IKW25N120T2批次：21+數(shù)量：6688制造商：Infineon產(chǎn)品種類：IGBT晶體管RoHS：是封裝/箱體：TO-247-3安裝風(fēng)格：ThroughHole配置：Single集電極—發(fā)射極電壓VCEO：1200V集電極—射極飽和電壓：1對(duì)比
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回收IGBT模塊INFINEON英飛凌西門子大功率 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-03-26 瀏覽次數(shù) 18 大量專注回收IGBT模塊回收德國(guó)Infineon英飛凌、EUPEC優(yōu)派克、SIEMENS西門子、西門康Semikron，IXYS艾賽斯、Mitsubishi三凌、Fuji富士、SanRex三社、TOSHIBA東芝、HITACHI日立、POWERSEM、Vishay、danfoss丹佛斯、DYNEX丹尼克斯、Sanken三肯、美國(guó)IR、NELL尼爾對(duì)比
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INFINEON/英飛凌 IGBT IKW25N120T2 IGBT 晶體管 LOW LOSS DuoPack 1200V 25A 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) IKW25N120T2 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-03-24 瀏覽次數(shù) 63 技術(shù)參數(shù)品牌：INFINEON/英飛凌型號(hào)：IKW25N120T2批號(hào)：封裝：數(shù)量：5391QQ：制造商：Infineon產(chǎn)品種類：IGBT晶體管RoHS：是封裝/箱體：TO-247-3安裝風(fēng)格：ThroughHole配置：Single集電極—發(fā)射極電壓VCEO：1200V集電極—射極飽和電壓：1對(duì)比
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歐姆龍繼電器 G6B-1174P-US-24VDC DIP 21 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) G6B-1174P-US-24VDC 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-03-19 瀏覽次數(shù) 9
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REALTEK/瑞昱 ALC5686-CG SOP12 12+ 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) ALC5686-CG 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-03-19 瀏覽次數(shù) 11 深圳市智融通科技有限公司是一家代理電子元器件、繼電器、開關(guān)、連接器的供應(yīng)服務(wù)商對(duì)比
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TO220 J13009-2 SOP12 12+ 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) J13009-2 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-03-19 瀏覽次數(shù) 13 深圳市智融通科技有限公司是一家代理電子元器件、繼電器、開關(guān)、連接器的供應(yīng)服務(wù)商對(duì)比
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俄羅斯MKA/IMCIP MKA14103-15-20 SOP12 12+ 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) MKA14103-15-20 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-03-19 瀏覽次數(shù) 13 深圳市智融通科技有限公司是一家代理電子元器件、繼電器、開關(guān)、連接器的供應(yīng)服務(wù)商對(duì)比
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TE/泰科 自恢復(fù)保險(xiǎn)絲 RXEF135 SOP12 12+ 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) RXEF135 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-03-19 瀏覽次數(shù) 10 深圳市智融通科技有限公司是一家代理電子元器件、繼電器、開關(guān)、連接器的供應(yīng)服務(wù)商對(duì)比
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NA 鎖存器 74HC573D SOP12 12+ 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) 74HC573D 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-03-19 瀏覽次數(shù) 8 深圳市智融通科技有限公司是一家代理電子元器件、繼電器、開關(guān)、連接器的供應(yīng)服務(wù)商對(duì)比
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INFINEON/英飛凌 IGBT IKW25N120T2 IGBT 晶體管 LOW LOSS DuoPack 1200V 25A 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) IKW25N120T2 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-03-19 瀏覽次數(shù) 10 深圳市智融通科技有限公司是一家代理電子元器件、繼電器、開關(guān)、連接器的供應(yīng)服務(wù)商對(duì)比
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K-CUT AC/DC調(diào)制IC K7805-500R3 SOP12 12+ 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) K7805-500R3 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-03-19 瀏覽次數(shù) 11 深圳市智融通科技有限公司是一家代理電子元器件、繼電器、開關(guān)、連接器的供應(yīng)服務(wù)商對(duì)比
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LITTELFUSE/力特 TVS二極管 ZEN056V130A24LS 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) ZEN056V130A24LS 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-03-19 瀏覽次數(shù) 11 深圳市智融通科技有限公司是一家代理電子元器件、繼電器、開關(guān)、連接器的供應(yīng)服務(wù)商對(duì)比
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ADI/亞德諾 STC8F2K08S2-28I SOP12 12+ 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) STC8F2K08S2-28I 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-03-19 瀏覽次數(shù) 11 深圳市智融通科技有限公司是一家代理電子元器件、繼電器、開關(guān)、連接器的供應(yīng)服務(wù)商對(duì)比
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IKW25N120T2 IGBT Infineon/英飛凌 封裝TO-247 批次21+ 參考價(jià) ￥面議
標(biāo)簽：
品牌 型號(hào) IKW25N120T2 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-03-13 瀏覽次數(shù) 7 技術(shù)參數(shù)品牌：Infineon/英飛凌型號(hào)：IKW25N120T2封裝：TO-247批次：21+數(shù)量：6000制造商：Infineon產(chǎn)品種類：IGBT晶體管RoHS：是封裝/箱體：TO-247-3安裝風(fēng)格：ThroughHole配置：Single集電極—發(fā)射極電壓VCEO：1200V集電極—射極飽和電壓：1對(duì)比
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FS950R08A6P2LB 電子元器件 Infineon英飛凌 封裝IGBT EDT2 批次22+ 參考價(jià) ￥面議
標(biāo)簽：
品牌 型號(hào) FS950R08A6P2LB 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-02-26 瀏覽次數(shù) 13 技術(shù)參數(shù)品牌：Infineon英飛凌型號(hào)：FS950R08A6P2LB封裝：IGBTEDT2批次：22+數(shù)量：68800RoHS：是產(chǎn)品種類：電子元器件最小工作溫度：-50C工作溫度：100C最小電源電壓：2對(duì)比
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FS820R08A6P2B 電子元器件 INFINEON/英飛凌 封裝MODULE 批次22+ 參考價(jià) ￥面議
標(biāo)簽：
品牌 型號(hào) FS820R08A6P2B 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-02-26 瀏覽次數(shù) 17 技術(shù)參數(shù)品牌：INFINEON/英飛凌型號(hào)：FS820R08A6P2B封裝：MODULE批次：22+數(shù)量：68800制造商：Infineon產(chǎn)品種類：IGBT模塊配置：6-Pack集電極—發(fā)射極電壓VCEO：750V集電極—射極飽和電壓：1對(duì)比
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BYM600A170DN2 集成電路、處理器、微控制器 Infineon英飛凌 封裝Diode 批次22+ 參考價(jià) ￥面議
標(biāo)簽：
品牌 型號(hào) BYM600A170DN2 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-02-26 瀏覽次數(shù) 19 技術(shù)參數(shù)品牌：Infineon英飛凌型號(hào)：BYM600A170DN2封裝：Diode批次：22+數(shù)量：68800制造商：Infineon產(chǎn)品種類：IGBT模塊RoHS：N封裝/箱體：62mm高度：36對(duì)比
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FZ800R12KE3 電子元器件 Infineon英飛凌 封裝IGBT3 - E3 批次22+ 參考價(jià) ￥面議
標(biāo)簽：
品牌 型號(hào) FZ800R12KE3 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-02-26 瀏覽次數(shù) 10 技術(shù)參數(shù)品牌：Infineon英飛凌型號(hào)：FZ800R12KE3封裝：IGBT3-E3批次：22+數(shù)量：68800制造商：Infineon產(chǎn)品種類：IGBT模塊RoHS：是配置：Single集電極—發(fā)射極電壓VCEO：1200V在25C的連續(xù)集電極電流：800A封裝/箱體：62mm最小工作溫度：-40C工作溫度：+125C高度：36對(duì)比
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FF900R12IE4V 電子元器件 Infineon英飛凌 封裝IGBT4 - E4 批次22+ 參考價(jià) ￥面議
標(biāo)簽：
品牌 型號(hào) FF900R12IE4V 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-02-26 瀏覽次數(shù) 11
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FF300R06KE3_B2 電子元器件 Infineon英飛凌 封裝IGBT3 - E3 批次22+ 參考價(jià) ￥面議
標(biāo)簽：
品牌 型號(hào) FF300R06KE3_B2 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-02-26 瀏覽次數(shù) 16
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DD400S33KL2C 電子元器件 Infineon英飛凌 封裝Diode 批次22+ 參考價(jià) ￥面議
標(biāo)簽：
品牌 型號(hào) DD400S33KL2C 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-02-26 瀏覽次數(shù) 14
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FF1200R17KE3 集成電路、處理器、微控制器 Infineon英飛凌 封裝IGBT3 - E3 批次22+ 參考價(jià) ￥面議
標(biāo)簽：
品牌 型號(hào) FF1200R17KE3 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-02-26 瀏覽次數(shù) 11 技術(shù)參數(shù)品牌：Infineon英飛凌型號(hào)：FF1200R17KE3封裝：IGBT3-E3批次：22+數(shù)量：68800制造商：Infineon產(chǎn)品種類：IGBT模塊RoHS：N配置：Dual集電極—發(fā)射極電壓VCEO：1700V集電極—射極飽和電壓：2V在25C的連續(xù)集電極電流：1600A柵極—射極漏泄電流：400nAPd-功率耗散：5對(duì)比
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FD900R12IP4DV 電子元器件 Infineon英飛凌 封裝IGBT4 - P4 批次22+ 參考價(jià) ￥面議
標(biāo)簽：
品牌 型號(hào) FD900R12IP4DV 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-02-26 瀏覽次數(shù) 13
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FZ400R12KS4 集成電路、處理器、微控制器 Infineon英飛凌 封裝IGBT2 Fast 批次22+ 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) FZ400R12KS4 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-02-26 瀏覽次數(shù) 15 技術(shù)參數(shù)品牌：Infineon英飛凌型號(hào)：FZ400R12KS4封裝：IGBT2Fast批次：22+數(shù)量：68800制造商：Infineon產(chǎn)品種類：IGBT模塊RoHS：是配置：SingleDualEmitter集電極—發(fā)射極電壓VCEO：1200V在25C的連續(xù)集電極電流：510A封裝/箱體：62mm最小工作溫度：-40C工作溫度：+125C高度：36對(duì)比
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FF200R33KF2C 電子元器件 Infineon英飛凌 封裝IGBT2 批次22+ 參考價(jià) ￥面議
標(biāo)簽：
品牌 型號(hào) FF200R33KF2C 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-02-26 瀏覽次數(shù) 12 技術(shù)參數(shù)品牌：Infineon英飛凌型號(hào)：FF200R33KF2C封裝：IGBT2批次：22+數(shù)量：68800制造商：Infineon產(chǎn)品種類：IGBT模塊RoHS：N配置：Dual集電極—發(fā)射極電壓VCEO：3300V集電極—射極飽和電壓：3對(duì)比
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FS900R08A2P2_B31 電子元器件 Infineon英飛凌 封裝IGBT EDT2 批次22+ 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) FS900R08A2P2_B31 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-02-26 瀏覽次數(shù) 10 技術(shù)參數(shù)品牌：Infineon英飛凌型號(hào)：FS900R08A2P2_B31封裝：IGBTEDT2批次：22+數(shù)量：68800RoHS：是產(chǎn)品種類：電子元器件最小工作溫度：-10C工作溫度：130C最小電源電壓：1V電源電壓：8對(duì)比
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FS380R12A6T4LB 電子元器件 Infineon英飛凌 封裝IGBT4 – T4 批次22+ 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) FS380R12A6T4LB 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-02-26 瀏覽次數(shù) 13 技術(shù)參數(shù)品牌：Infineon英飛凌型號(hào)：FS380R12A6T4LB封裝：IGBT4–T4批次：22+數(shù)量：68800RoHS：是產(chǎn)品種類：電子元器件最小工作溫度：-40C工作溫度：125C最小電源電壓：1對(duì)比
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FD800R33KF2C 電子元器件 Infineon英飛凌 封裝IGBT2 批次22+ 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) FD800R33KF2C 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-02-26 瀏覽次數(shù) 9 技術(shù)參數(shù)品牌：Infineon英飛凌型號(hào)：FD800R33KF2C封裝：IGBT2批次：22+數(shù)量：68800制造商：Infineon產(chǎn)品種類：IGBT模塊RoHS：N配置：Dual集電極—發(fā)射極電壓VCEO：3300V集電極—射極飽和電壓：3對(duì)比
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FZ600R12KE3 電子元器件 Infineon英飛凌 封裝IGBT3 - E3 批次22+ 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) FZ600R12KE3 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-02-26 瀏覽次數(shù) 12 技術(shù)參數(shù)品牌：Infineon英飛凌型號(hào)：FZ600R12KE3封裝：IGBT3-E3批次：22+數(shù)量：68800制造商：Infineon產(chǎn)品種類：IGBT模塊RoHS：是配置：Single集電極—發(fā)射極電壓VCEO：1200V集電極—射極飽和電壓：1對(duì)比
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FP50R12KS4C 集成電路、處理器、微控制器 Infineon英飛凌 封裝IGBT2 Fast 批次22+ 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) FP50R12KS4C 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-02-26 瀏覽次數(shù) 11 技術(shù)參數(shù)品牌：Infineon英飛凌型號(hào)：FP50R12KS4C封裝：IGBT2Fast批次：22+數(shù)量：68800制造商：Infineon產(chǎn)品種類：IGBT模塊RoHS：是配置：Hex集電極—發(fā)射極電壓VCEO：1200V集電極—射極飽和電壓：3對(duì)比
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FD800R17KE3_B2 電子元器件 Infineon英飛凌 封裝IGBT3 - E3 批次22+ 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) FD800R17KE3_B2 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-02-26 瀏覽次數(shù) 11
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FP35R12U1T4 電子元器件 Infineon英飛凌 封裝IGBT4 - T4 批次22+ 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) FP35R12U1T4 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-02-26 瀏覽次數(shù) 9 技術(shù)參數(shù)品牌：Infineon英飛凌型號(hào)：FP35R12U1T4封裝：IGBT4-T4批次：22+數(shù)量：68800制造商：Infineon產(chǎn)品種類：IGBT模塊RoHS：是配置：PIM3-PhaseInputRectifier集電極—發(fā)射極電壓VCEO：1200V集電極—射極飽和電壓：1對(duì)比
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F4-75R06W1E3 集成電路、處理器、微控制器 Infineon英飛凌 封裝IGBT3 - E3 批次22+ 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) F4-75R06W1E3 類型 絕緣柵雙極晶體管/IGBT 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-02-26 瀏覽次數(shù) 9 技術(shù)參數(shù)品牌：Infineon英飛凌型號(hào)：F4-75R06W1E3封裝：IGBT3-E3批次：22+數(shù)量：68800制造商：Infineon產(chǎn)品種類：IGBT模塊配置：Quad集電極—發(fā)射極電壓VCEO：600V在25C的連續(xù)集電極電流：100A封裝/箱體：EASY1B最小工作溫度：-40C工作溫度：+150C高度：12mm長(zhǎng)度：62對(duì)比
