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新潔能 NCE3020K N溝道 TO-252封裝 場館效應 參考價 ￥31.8
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品牌 型號 NCE3020K 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2022-09-18 瀏覽次數 5 世界那么大對比
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華晶 CS300N04A8 參考價 ￥14.05
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品牌 型號 CS300N04A8 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2022-09-18 瀏覽次數 6 華晶CS300N04A8 SiliconN-ChannelPowerMOSFET一般描述：CS300N04A8，硅N通道增強VDMOSFET，是通過降低導通損耗，提高開關性能和e的高密度溝槽技術獲得的雪崩能量對比
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華晶 CRTM030N04L 參考價 ￥19.05
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品牌 型號 CRTM030N04L 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2022-09-18 瀏覽次數 4 華晶CS70N30ANR SiliconN-ChannelPowerMOSFET一般描述：CS70N30ANR，硅N通道增強VDMOSFET，是通過自對齊平面技術獲得的，它降低了導通損耗，提高了開關性能和e雪崩能量對比
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新潔能 NCE30H32WD N溝道 TO-263T封裝 場館效應 參考價 ￥32.8
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品牌 型號 NCE30H32WD 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2022-09-18 瀏覽次數 5 世界那么大對比
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新潔能 NCE3060G N溝道 DFN5X6-8L封裝 場館效應 參考價 ￥35.8
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品牌 型號 NCE3060G 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2022-09-18 瀏覽次數 7 世界那么大對比
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CS12N80FA9RD 參考價 ￥10.05
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品牌 型號 CS12N80FA9RD 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2022-09-18 瀏覽次數 4 華晶CS12N80FA9RD SiliconN-ChannelPowerMOSFET一般描述：CS12N80FA9RD，硅N通道增強VDMOSFET，是通過自對齊平面技術獲得的，它降低了導通損耗，提高了開關性能增強雪崩能量對比
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新潔能 NCE8601B* N溝道 TSSOP-8封裝 場館效應 參考價 ￥38.8
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品牌 型號 NCE8601B* 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2022-09-18 瀏覽次數 5 世界那么大對比
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新潔能 NCE01P13* P溝道 TO-220封裝 場館效應 參考價 ￥35.8
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品牌 型號 NCE01P13* 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2022-09-18 瀏覽次數 6 世界那么大對比
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新潔能 NCE40H12 N溝道 TO-220封裝 場館效應 參考價 ￥37.8
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品牌 型號 NCE40H12 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2022-09-18 瀏覽次數 4 世界那么大對比
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華晶 CS21N03AQ2-1 參考價 ￥13.05
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品牌 型號 CS21N03AQ2-1 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2022-09-18 瀏覽次數 5 華晶CS21N03AQ2-1 SiliconN-ChannelPowerMOSFET一般描述：CS21N03AQ2-1，硅N通道增強VDMOSFET，是通過高密度溝槽技術獲得的，降低了導通損耗，提高了開關性能增強雪崩能量對比
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新潔能 NCE20P09S P溝道 SOP-8封裝 場館效應 參考價 ￥34.8
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品牌 型號 NCE20P09S 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2022-09-18 瀏覽次數 4 世界那么大對比
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新潔能 NCE65R2K4K N溝道 TO-251封裝 場館效應 參考價 ￥33.8
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品牌 型號 NCE65R2K4K 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2022-09-18 瀏覽次數 4 世界那么大對比
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RT8462立锜用于LED照明驅動器的DC/DC解決方案 參考價 ￥4025
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品牌 型號 RT8462 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2022-09-18 瀏覽次數 5
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TO-247封裝 1700V/3A 高壓MOS管 CS3N170AKR-G 參考價 ￥46.5
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品牌 型號 CS3N170AKR-G 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2022-09-18 瀏覽次數 4 世界那么大對比
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TO-251封裝 1000V/2A 高壓MOS管 CS2N100A3R* 參考價 ￥46.5
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品牌 型號 CS2N100A3R* 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2022-09-18 瀏覽次數 4 世界那么大對比
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新潔能 NCE65R180T N溝道 TO-251封裝 場館效應 參考價 ￥33.8
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品牌 型號 NCE65R180T 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2022-09-18 瀏覽次數 4 世界那么大對比
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TO-251封裝 1000V/2A 高壓MOS管 CS2N100B3R* 參考價 ￥48.5
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品牌 型號 CS2N100B3R* 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2022-09-18 瀏覽次數 4 世界那么大對比
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新潔能 NCE0208IA N溝道 TO-252封裝 場館效應 參考價 ￥35.8
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品牌 型號 NCE0208IA 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2022-09-18 瀏覽次數 5 世界那么大對比
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華晶 CS7N065AE-G-1 參考價 ￥11.05
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品牌 型號 CS7N065AE-G-1 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2022-09-18 瀏覽次數 5 華晶CS7N065AE-G-1 SiliconN-ChannelPowerMOSFET一般描述：CS7N065AE-G-1,，硅N通道增強VDMOSFET，是通過高密度溝槽技術獲得的，它降低了導通損耗，提高了開關性能和增強性能雪崩能量對比
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華晶 CRSS045N07N 參考價 ￥15.05
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品牌 型號 CRSS045N07N 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2022-09-18 瀏覽次數 7 華晶CRST048N07N,CRSS045N07NSkyMOS1N-MOSFET70V,3對比
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華晶 CS70N06A4 參考價 ￥13.05
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品牌 型號 CS70N06A4 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2022-09-18 瀏覽次數 5 華晶CS70N06A4 SiliconN-ChannelPowerMOSFET一般描述：CS70N06A4，硅N通道增強VDMOSFET，是通過高密度溝槽技術獲得的，降低了導通損耗，提高了開關性能和EN雪崩能量對比
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CS10N70FA9R 參考價 ￥71.55
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品牌 型號 CS10N70FA9R 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2022-09-18 瀏覽次數 4 CS10N70FA9R,thesiliconN-channelEnhancedVDMOSFETs,isobtainedbytheself-alignedplanarTechnologywhichreducetheconductionloss,improveswitchingperformanceandenhancetheavalancheenergy對比
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新潔能 NCE90R1K2F N溝道 TO-252封裝 場館效應 參考價 ￥36.8
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品牌 型號 NCE90R1K2F 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2022-09-18 瀏覽次數 6 世界那么大對比
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新潔能 NCE0107AK N溝道 SOP-8封裝 場館效應 參考價 ￥39.8
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品牌 型號 NCE0107AK 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2022-09-18 瀏覽次數 5 世界那么大對比
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TO-92 華潤華晶 雙極管二極管 3DD4513A1D 參考價 ￥38.2
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品牌 型號 3DD4513A1D 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2022-09-18 瀏覽次數 7 世界那么大對比
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華晶 CS100N08A0 參考價 ￥17.05
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品牌 型號 CS100N08A0 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2022-09-18 瀏覽次數 6 華晶CS100N08A0SiliconN-ChannelPowerMOSFET描述：CS100N08A0，硅N通道增強VDMOSFET，是通過*的溝槽技術獲得的，降低了導通損耗，提高了開關性能，增強了雪崩能量對比
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TO-220 華潤華晶 雙極管二極管 3DD13009A8 參考價 ￥36.2
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品牌 型號 3DD13009A8 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2022-09-18 瀏覽次數 5 世界那么大對比
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華晶 CRTT084N08N 參考價 ￥12.05
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品牌 型號 CRTT084N08N 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2022-09-18 瀏覽次數 6 華晶CRTT084N08NTrenchN-MOSFET80V,6對比
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新潔能 NCE40TD60T N溝道 TO-247封裝 場館效應 參考價 ￥34.8
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品牌 型號 NCE40TD60T 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2022-09-18 瀏覽次數 5 世界那么大對比
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新潔能 NCE90R1K2K N溝道 TO-251封裝 場館效應 參考價 ￥33.8
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品牌 型號 NCE90R1K2K 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2022-09-18 瀏覽次數 4 世界那么大對比
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華晶 CS105N08B8 參考價 ￥14.05
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品牌 型號 CS105N08B8 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2022-09-18 瀏覽次數 3 華晶CS105N08B8SiliconN-ChannelPowerMOSFET描述：CS105N08B8，硅N通道增強VDMOSFET，是通過高密度溝槽技術獲得的，降低了導通損耗，提高了開關性能，增強了雪崩能量對比
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華晶 CRST030N10N 參考價 ￥14.05
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品牌 型號 CRST030N10N 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2022-09-18 瀏覽次數 4 華晶CRST030N10N,CRSS028N10NSkyMOS1N-MOSFET100V,2對比
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飛捷士 CS100N08A8 華潤華晶 TO-220AB 代理商分銷商 參考價 ￥17.05
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品牌 型號 CS100N08A8 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2022-09-18 瀏覽次數 5 華晶CS100N08A8SiliconN-ChannelPowerMOSFET描述：CS100N08A8，硅N通道增強VDMOSFET，是通過*的溝槽技術獲得的，它降低了導通損耗，提高了開關性能，增強了雪崩能量對比
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TO-92 華潤華晶 雙極管二極管 3DD13002B1-7 參考價 ￥37.2
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品牌 型號 3DD13002B1-7 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2022-09-18 瀏覽次數 6 世界那么大對比
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華晶 CRST025N08N 參考價 ￥11.05
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品牌 型號 CRST025N08N 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2022-09-18 瀏覽次數 4 華晶CRST025N08N對比
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華晶 CRSS028N10N 參考價 ￥14.05
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品牌 型號 CRSS028N10N 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2022-09-18 瀏覽次數 4 華晶CRST030N10N,CRSS028N10NSkyMOS1N-MOSFET100V,2對比
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TO-220 華潤華晶 雙極管二極管 3DD13007Y8 參考價 ￥35.2
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品牌 型號 3DD13007Y8 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2022-09-18 瀏覽次數 5 世界那么大對比
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TO-126F 華潤華晶 雙極管二極管 3DD13005F7 參考價 ￥35.2
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品牌 型號 3DD13005F7 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2022-09-18 瀏覽次數 3 世界那么大對比
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華晶 CRTT360N20N 參考價 ￥12.05
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品牌 型號 CRTT360N20N 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2022-09-18 瀏覽次數 5 華晶CRTT360N20NTrenchN-MOSFET200V對比
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華晶 CRSM072N10N2 參考價 ￥18.05
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品牌 型號 CRSM072N10N2 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2022-09-18 瀏覽次數 5 華晶CRSM072N10N2一般描述：CS7N065AE-G-1，硅N通道增強VDMOSFET，是通過高密度溝槽技術獲得的，它降低了導通損耗，提高了開關性能和增強性能雪崩能量對比
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華晶 CRSE100N10L2X 參考價 ￥18.05
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品牌 型號 CRSE100N10L2X 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2022-09-18 瀏覽次數 4 華晶CRSE100N10L2XSkyMOS2N-MOSFET100對比
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華晶 CS120N10AR 參考價 ￥14.05
標簽：
品牌 型號 CS120N10AR 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2022-09-18 瀏覽次數 4 華晶CS120N10ARSiliconN-ChannelPowerMOSFET描述：CS120N10AR是硅N通道增強VDMOSFET，是通過*的溝槽技術獲得的，它降低了導通損耗，提高了開關性能，提高了雪崩能量對比
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CS10N40A8R 參考價 ￥15.05
標簽：
品牌 型號 CS10N40A8R 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2022-09-18 瀏覽次數 5 華晶CS10N40A8R SiliconN-ChannelPowerMOSFET一般描述：CS10N40A8R，硅N通道增強VDMOSFET，是通過自對齊平面技術獲得的，它降低了導通損耗，提高了開關性能和e 雪崩能量對比
