技術(shù)參數(shù)
| 品牌： | Onsemi |
| 型號(hào)： | FQD10N20LTM |
| 封裝： | TO-252-3 |
| 批次： | 21+ |
| 數(shù)量： | 10000 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 產(chǎn)品種類(lèi)： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風(fēng)格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | TO-252-3 |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| 通道數(shù)量： | 1 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 200 V |
| Id-連續(xù)漏極電流： | 7.6 A |
| Rds On-漏源導(dǎo)通電阻： | 290 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 20 V |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 2.5 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 高度： | 2.39 mm |
| 長(zhǎng)度： | 6.73 mm |
| 系列： | FQD10N20L |
| 晶體管類(lèi)型： | 1 N-Channel |
| 寬度： | 6.22 mm |
| 正向跨導(dǎo) - 最小值： | 9.6 S |
| 下降時(shí)間： | 95 ns |
| 上升時(shí)間： | 150 ns |
| 典型關(guān)閉延遲時(shí)間： | 50 ns |
| 典型接通延遲時(shí)間： | 13 ns |
| 單位重量： | 260.370 mg |
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