產品簡介
技術參數品牌：IR型號：IRF6604TR1批號：2019+封裝：SURFACE數量：5000QQ：996505668制造商：InfineonTechnologies系列：HEXFET®FET類型：N通道25°C時電流-連續漏極(Id)：12A（Ta）
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | IR |
| 型號： | IRF6604TR1 |
| 批號： | 2019+ |
| 封裝： | SURFACE |
| 數量： | 5000 |
| QQ： | 996505668 |
| 制造商： | Infineon Technologies |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 類型： | N 通道 |
| 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)： | 12A（Ta），49A（Tc） |
| 驅動電壓（ Rds On，最小 Rds On）： | 4.5V，7V |
| 不同 Id、Vgs 時導通電阻（值）： | 11.5 毫歐 @ 12A，7V |
| 不同 Id 時 Vgs(th)（值）： | 2.1V @ 250µA |
| Vgs（值）： | ±12V |
| 功率耗散（值）： | 2.3W（Ta），42W（Tc） |
| 工作溫度： | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安裝類型： | 表面貼裝型 |
| 封裝/外殼： | DirectFET™ 等容 MQ |
| 漏源電壓（Vdss）： | 30 V |
| 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（值）： | 26 nC @ 4.5 V |
| 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（值）： | 2270 pF @ 15 V |
- 上一篇： IR 場效應管 IRF1404ZPBF MOSFET N-CH
- 下一篇： ON 可控硅/晶閘管 MCR100-8G TO-92 201
所有評論僅代表網友意見，與本站立場無關。