產品簡介
技術參數品牌：IR型號：IRF5305STRLPBF批號：19+封裝：TO-263數量：50000QQ：對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況：無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求濕氣敏感性等級（MSL）：1（無限）制造商標準提前期：14周系列：HEXFET®包裝：剪切帶（CT）
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | IR |
| 型號： | IRF5305STRLPBF |
| 批號： | 19+ |
| 封裝： | TO-263 |
| 數量： | 50000 |
| QQ： | |
| 對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況： | 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求 |
| 濕氣敏感性等級（MSL）： | 1（無限） |
| 制造商標準提前期： | 14 周 |
| 系列： | HEXFET® |
| 包裝： | 剪切帶（CT） ,帶卷（TR） |
| 零件狀態： | 在售 |
| FET類型： | P溝道 |
| 技術： | MOSFET（金屬氧化物） |
| 漏源極電壓（Vdss）： | 55V |
| 電流-連續漏極（Id）（25°C時）： | 31A（Tc） |
| 驅動電壓（RdsOn，最小RdsOn）： | 10V |
| 不同Id時的Vgs（th）（值）： | 4V@250µA |
| 不同Vgs時的柵極電荷 （Qg）（值）： | 63nC@10V |
| 不同Vds時的輸入電容（Ciss）（值）： | 1200pF@25V |
| 柵源電壓 Vgss： | ±20V |
| FET功能： | - |
| 功率耗散（值）： | 3.8W（Ta），110W（Tc） |
| 不同 Id，Vgs時的 RdsOn（值）： | 60毫歐@16A，10V |
| 工作溫度： | -55°C~175°C（TJ） |
| 安裝類型： | 表面貼裝(SMT) |
| 供應商器件封裝： | D2PAK |
| 封裝/外殼： | TO-263-3，D?Pak（2引線+接片），TO-263AB |
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