產品簡介
技術參數品牌：IR型號：IRLR024NTRPBF批號：19+封裝：TO-252數量：50000QQ：對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況：無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求濕氣敏感性等級（MSL）：1（無限）制造商標準提前期：19周系列：HEXFET®包裝：剪切帶（CT）
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | IR |
| 型號： | IRLR024NTRPBF |
| 批號： | 19+ |
| 封裝： | TO-252 |
| 數量： | 50000 |
| QQ： | |
| 對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況： | 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求 |
| 濕氣敏感性等級（MSL）： | 1（無限） |
| 制造商標準提前期： | 19 周 |
| 系列： | HEXFET® |
| 包裝： | 剪切帶（CT） ,帶卷（TR） |
| 零件狀態： | 在售 |
| FET類型： | P溝道 |
| 技術： | MOSFET（金屬氧化物） |
| 漏源極電壓（Vdss）： | 20V |
| 電流-連續漏極（Id）（25°C時）： | 5.6A（Ta） |
| 驅動電壓（RdsOn，最小RdsOn）： | 2.5V，4.5V |
| 不同Id時的Vgs（th）（值）： | 1.2V@250µA |
| 不同Vgs時的柵極電荷 （Qg）（值）： | 16nC@5V |
| 不同Vds時的輸入電容（Ciss）（值）： | 1079pF@10V |
| 柵源電壓 Vgss： | ±12V |
| FET功能： | - |
| 功率耗散（值）： | 2W（Ta） |
| 不同 Id，Vgs時的 RdsOn（值）： | 50毫歐@5.1A，4.5V |
| 工作溫度： | -55°C~150°C（TJ） |
| 安裝類型： | 表面貼裝(SMT) |
| 供應商器件封裝： | Micro6™（TSOP-6） |
| 封裝/外殼： | SOT-23-6 |
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