技術(shù)參數(shù)
| 品牌： | IR |
| 型號： | IRFB4115PBF |
| 批號： | 19+ |
| 封裝： | TO-220 |
| 數(shù)量： | 50000 |
| QQ： | |
| 對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標情況： | 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求 |
| 濕氣敏感性等級（MSL）： | 1（無限） |
| 制造商標準提前期： | 14 周 |
| 系列： | HEXFET® |
| 包裝： | 管件 |
| 零件狀態(tài)： | 在售 |
| FET類型： | N溝道 |
| 技術(shù)： | MOSFET（金屬氧化物） |
| 漏源極電壓（Vdss）： | 200V |
| 電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）： | 43A（Tc） |
| 驅(qū)動電壓（RdsOn，最小RdsOn）： | 10V |
| 不同Id時的Vgs（th）（值）： | 5V@250µA |
| 不同Vgs時的柵極電荷 （Qg）（值）： | 91nC@10V |
| 不同Vds時的輸入電容（Ciss）（值）： | 2900pF@25V |
| 柵源電壓 Vgss： | ±20V |
| FET功能： | - |
| 功率耗散（值）： | 3.8W（Ta），300W（Tc） |
| 不同 Id，Vgs時的 RdsOn（值）： | 54毫歐@26A，10V |
| 工作溫度： | -55°C~175°C（TJ） |
| 安裝類型： | 通孔(THT) |
| 供應商器件封裝： | TO-220AB |
| 封裝/外殼： | TO-220-3 |
所有評論僅代表網(wǎng)友意見，與本站立場無關(guān)。