技術參數
| 品牌： | INFINEON |
| 型號： | IRLB4030PBF |
| 批號： | 19+ |
| 封裝： | TO220 |
| 數量： | 50000 |
| QQ： | |
| 制造商： | Infineon |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技術： | Si |
| 安裝風格： | Through Hole |
| 封裝 / 箱體： | TO-220-3 |
| 通道數量： | 1 Channel |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 100 V |
| Id-連續漏極電流： | 180 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 4.5 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 16 V |
| Qg-柵極電荷： | 87 nC |
| Pd-功率耗散： | 370 W |
| 配置： | Single |
| 封裝： | Tube |
| 高度： | 15.65 mm |
| 長度： | 10 mm |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel |
| 寬度： | 4.4 mm |
| 商標： | Infineon Technologies |
| 產品類型： | MOSFET |
| 工廠包裝數量： | 1000 |
| 子類別： | MOSFETs |
| 零件號別名： | SP001552594 |
| 單位重量： | 6 g |
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